国家知识产权局信息显示,国网安徽省电力有限公司电力科学研究院;中国科学技术大学申请一项名为“陶瓷绝缘子的介电击穿相场模拟方法、系统及存储介质”的专利,公开号CN121331310A,申请日期为2025年10月。
专利摘要显示,本发明公开了一种陶瓷绝缘子的介电击穿相场模拟方法、系统及存储介质,方法包括采用Grasshopper插件对陶瓷绝缘子的非均匀多孔洞结构进行批量建模,生成陶瓷绝缘子的二维模型文件;将所述二维模型文件导入COMSOL软件,并分别对孔洞和基体赋予材料属性;分别对多孔洞结构和基体进行网格划分,并定义边界条件;基于材料属性、网格划分结果和边界条件,求解介电击穿演化路径的计算模型,得到陶瓷绝缘子非均匀多孔结构对介电性能和击穿演化的影响规律;本发明利用Grasshopper插件可快速的建立与实际非均匀多孔结构高度相似的模型,同时利用COMSOL软件进行相场电击穿模拟,得出结构—性能关系规律。
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来源:市场资讯
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