昊诚锂电申请改性NASICON型钠离子陶瓷电解质膜专利,提高电解质膜的致密度、室温电导率和拉伸强度
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2026-01-10 13:01:33
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国家知识产权局信息显示,武汉昊诚锂电科技股份有限公司申请一项名为“一种改性NASICON型钠离子陶瓷电解质膜及其制备方法和应用”的专利,公开号CN121306814A,申请日期为2025年10月。

专利摘要显示,本发明提供一种改性NASICON型钠离子陶瓷电解质膜及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤:将NZSP电解质、硼源、铋源、铜源、镧源和溶剂混合,得到混合浆料;将混合浆料涂覆在支撑基底上,形成陶瓷电解质生坯层;将层间结合增强型浆料涂覆在陶瓷电解质生坯层上,形成层间结合增强层,得到复合膜;对复合膜进行烧结处理,得到改性NASICON型钠离子陶瓷电解质膜。本发明借助四元协同掺杂体系,降低了后续烧结温度,提高了电解质膜的致密度、室温电导率和拉伸强度,将Zr、P等关键元素的挥发率控制在2wt%以下;利用层间结合增强层的设计,解决了层间结合和离子传导的问题,使层间剥离强度得到提升,界面阻抗显著降低。

天眼查资料显示,武汉昊诚锂电科技股份有限公司,成立于2004年,位于武汉市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3690万人民币。通过天眼查大数据分析,武汉昊诚锂电科技股份有限公司共对外投资了1家企业,参与招投标项目29次,财产线索方面有商标信息9条,专利信息171条,此外企业还拥有行政许可32个。

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来源:市场资讯

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