高富高新材料申请自生长致密化的氮化硅陶瓷结构件制备方法专利，促进陶瓷进一步实现致密化
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2025-08-18 21:02:39
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金融界2025年8月18日消息，国家知识产权局信息显示，高富高新材料（浙江）有限公司申请一项名为“一种自生长致密化的氮化硅陶瓷结构件的制备方法”的专利，公开号CN120483739A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本发明说明了一种自生长致密化的氮化硅陶瓷结构件的制备方法，属于陶瓷制品技术领域。本发明在成分上以稀土金属单质替换稀土金属氧化物，一步烧结出以β相氮化硅为主体的框架，后通入氧气氧化稀土金属元素，稀土金属元素捕获氧气后氧化实现自生长，并使得稀土金属氧化物产生内应力，二步烧结熔融氧化后的稀土金属元素形成液相，并释放稀土金属氧化物的内应力，熔融的稀土金属氧化物流向陶瓷各个孔隙内，促进陶瓷进一步实现致密化。
来源：金融界
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