金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，北京旭灿半导体科技有限公司、北京中企祥科技有限公司申请一项名为“一种制备高纯致密碳化硅陶瓷的方法及专用装置”的专利，公开号CN120423882A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明涉及碳化硅陶瓷制备领域，尤其涉及一种制备高纯致密碳化硅陶瓷的方法及专用装置。将碳化硅和炭黑粉体混合并预处理得到松装造粒粉，然后通过干压成型获得坯体，并进行排胶处理。接着，按照特定比例混合高纯硅粉和碳化硅粉制备混合原料。将无胶坯体放置在气相沉积区，混合原料置于原料区，并调整高温炉内环境。初次加热至1950‑2150℃并降低压力进行反应，随后二次加热到2200‑2450℃，控制压力及温度梯度完成气相沉积。最后，在2100‑2200℃下退火保温并缓慢冷却至室温，得到最终产品。此工艺确保了材料的高纯度与致密度，能够应用反射镜、半导体、集成电路和光伏等高洁净工况环境，从而实现更高应用价值。

天眼查资料显示，北京旭灿半导体科技有限公司，成立于2023年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，北京旭灿半导体科技有限公司专利信息30条，此外企业还拥有行政许可2个。

北京中企祥科技有限公司，成立于2022年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，北京中企祥科技有限公司专利信息119条，此外企业还拥有行政许可1个。

来源：金融界