富乐华申请基于AMB工艺的双层陶瓷基板制备方法专利,涉及半导体技术领域
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2025-07-04 20:32:13
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金融界2025年7月4日消息,国家知识产权局信息显示,江苏富乐华功率半导体研究院有限公司;江苏富乐华半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种基于AMB工艺的双层陶瓷基板的制备方法”的专利,公开号CN120261296A,申请日期为2025年04月。

专利摘要显示,本发明公开了一种基于AMB工艺的双层陶瓷基板的制备方法,涉及半导体技术领域;具体步骤包括:对陶瓷层进行微孔加工得到定位孔和导通孔后,清洗陶瓷层并去除孔边缘熔渣进行单面沉积金属层,沉积完成后进行丝网印刷填孔,填孔完成后烘干,在两片烘干后的陶瓷层之间放置金属箔,使金属箔的两侧均与两片陶瓷层上单面沉积的金属层接触,并利用定位孔进行对位装叠,通过真空钎焊形成一体化结构,得到双面陶瓷基板。其中金属层的成分为钛、锆、钨、铜、镍、银中的一种或多种组合;金属箔为压延得到的钨箔、钼箔、钨钼箔中的一种;填孔的浆料包括不熔金属粉、熔融金属粉以及有机载体。

天眼查资料显示,江苏富乐华功率半导体研究院有限公司,成立于2021年,位于盐城市,是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏富乐华功率半导体研究院有限公司参与招投标项目4次,专利信息112条,此外企业还拥有行政许可22个。

江苏富乐华半导体科技股份有限公司,成立于2018年,位于盐城市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本41707.4258万人民币。通过天眼查大数据分析,江苏富乐华半导体科技股份有限公司共对外投资了7家企业,参与招投标项目32次,财产线索方面有商标信息7条,专利信息172条,此外企业还拥有行政许可84个。

来源:金融界

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