天鉴碳材料申请硅晶圆原子晶格模板生长钻石膜专利,可避免热点逐渐破坏芯片功能
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2025-12-01 11:04:12
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国家知识产权局信息显示,天鉴碳材料有限公司申请一项名为“一种以硅晶圆的原子晶格为模板而在其上生长的钻石膜”的专利,公开号CN121035079A,申请日期为2025年8月。

专利摘要显示,本发明涉及钻石面碳化硅技术领域,且公开了一种以硅晶圆的原子晶格为模板而在其上生长的钻石膜,介面处硅与钻石原子的比率由100%逐渐减小至约0%,原子比率调整的沉积方法乃用微波等离子体内完成,其硅碳比乃由ALD控制的硅烷比甲烷混入主体的氢气而逐层沉积,钻石膜可外延加厚,钻石膜可为多晶或单晶,钻石膜可用为半导体的芯片或其散热片,如上的钻石膜可用为生长培育钻石的子晶;本发明所述的以硅晶圆的原子晶格为模板而在其上生长的钻石膜,以高硬度材料的共价键与热点区的原子共振,这样就可以使其振动频率大幅度下降,因而可避免热点逐渐破坏了芯片的功能。

天眼查资料显示,天鉴碳材料有限公司,成立于2018年,位于郑州市,是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析,天鉴碳材料有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目2次,财产线索方面有商标信息5条,专利信息2条,此外企业还拥有行政许可3个。

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来源:市场资讯

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