碳化硅陶瓷的绝缘优势源于稳定的共价键晶体结构，电子束缚紧密，常温下电阻率可达 10¹³-10¹⁵Ω・m，绝缘性能可靠。其核心亮点是极端环境适应性，可在 1600℃以上高温保持结构稳定，绝缘性无明显衰减，且兼具高硬度、耐磨损、耐腐蚀特性。但需注意，当温度超过 2000℃时，其绝缘性能会逐渐下降，更适合高温、高磨损的绝缘场景，如半导体反应腔构件、高温绝缘支架等。

氧化铍陶瓷的绝缘性能更胜一筹，常温下电阻率高达 10¹⁵-10¹⁷Ω・m，晶体结构的稳定性使其在 1000℃以下仍能维持优异绝缘性。其独特优势是 “绝缘 + 极致导热” 的完美结合，导热系数可达 300W/(m・K) 以上，远超碳化硅（120-200W/(m・K)），能快速导出元件热量，避免高温导致的绝缘失效。但需重点警惕，氧化铍粉末具有强致癌性，加工全程需专用密封设备和严格防护措施，环保与安全成本极高，且原料稀缺，产品价格昂贵。

核心对比来看：常温绝缘性能氧化铍更优，高温（1000-1600℃）场景中碳化硅绝缘稳定性更突出；导热性氧化铍碾压式领先，但存在剧毒风险；成本上，碳化硅性价比更高，氧化铍价格是碳化硅的 4-6 倍，且安全投入额外增加成本。

选型建议：若需适配高温、高磨损工况，且注重生产安全、控制成本，优先选碳化硅陶瓷，覆盖绝大多数高端工业绝缘需求；若极端场景需极致导热 + 超高绝缘，且能承担高额安全防护与原料成本，可选择氧化铍陶瓷。