国家知识产权局信息显示，宏茂微电子（上海）有限公司申请一项名为“一种高导热性封装芯片的制作结构及其方法”的专利，公开号CN121285300A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，具体的说是一种高导热性封装芯片的制作结构及其方法。具体方法流程如下：S1，通过烧结以及研磨制作出陶瓷基；S2，在陶瓷基上做激光开孔，在孔内贴上高算力存储芯片；S3，印锡膏；S4，利用玻璃基进行TGV打孔、ABF工艺压合，并在玻璃基板上留出供焊接的pad点；S5，通过FC倒装；S6，在贴装完后的玻璃基板上，注入液体热固型胶体；S7，通过溅射镀层金属保护层；S8，在背面植球，可得到完整的封装芯片。同现有技术相比，利用陶瓷的高导热性，在陶瓷基基上开槽并贴装芯片，并通过贴装芯片与基板连接制作出高导热芯片，芯片封装采用陶瓷材质替代树脂可以降低成本，同时还可以降低封装体的厚度。

天眼查资料显示，宏茂微电子（上海）有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本246884.3599万人民币。通过天眼查大数据分析，宏茂微电子（上海）有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息19条，专利信息260条，此外企业还拥有行政许可79个。

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来源：市场资讯