国家知识产权局信息显示，金兰功率半导体（无锡）有限公司申请一项名为“一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺”的专利，公开号CN121076013A，申请日期为2025年11月。专利摘要显示，本发明提供一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺，涉及半导体封装技术领域，自动分裂系统包括上料模组，上料模组设置至少一个转运料盒和气缸开关，转运料盒一侧壁设置气缸组件和转运传感器，控制器通过接收转运传感器的信号，驱动转运机器人从转运料盒取出陶瓷覆铜母板；分裂模组包括真空平台，真空平台上方设置下压气缸，下压气缸连接长边分裂压刀和短边分裂压刀，真空平台两侧设置长边定位推刀和短边定位推刀；自动分裂模组上平行设置第一分裂平台和第二分裂平台，DCB转运机械手将DCB接驳平台的陶瓷覆铜基板转运至DCB转运模组。本发明实现自动上下料，预防取料破损；通过分裂系统实现DCB自动分裂，自动传送，提升效率。

天眼查资料显示，金兰功率半导体（无锡）有限公司，成立于2021年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，金兰功率半导体（无锡）有限公司参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息35条，此外企业还拥有行政许可8个。

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